お知らせ

半導体の平坦化は、膜を重ねてできる段差をなくす工程です。段差が露光のピントと配線の断線に与える影響と、CMPが使われる場所を、図つきで初心者向けに解説します。

CMPは、化学の作用と機械の作用で表面を平らにする研磨工程です。パッドとスラリーの役目、高い所が速く削れる理由、パッドの手入れと洗浄を、図つきで初心者向けに解説します。

銅配線は、溝に銅を埋めて余りを研磨で除くダマシン法でつくります。アルミとの違い、バリア膜とシード層、デュアルダマシンを、図と計算例つきで初心者向けに解説します。

多層配線の信号の遅れ（RC遅延）と、それを減らす層間絶縁膜（low-k）を解説します。比誘電率、多孔質の弱点、エアギャップまで、計算例つきで初心者向けに説明します。

研磨と配線で起きる不良（ディッシング、エロージョン、傷、ボイド、エレクトロマイグレーション）と、段差測定や電気テストによる検査を、図つきで初心者向けに解説します。

イオン注入は、不純物をイオンにして加速し、ウェハへ打ち込む方法です。イオン源、磁石による質量分離、加速、走査、ドーズ量とエネルギーを、計算例つきで初心者向けに解説します。

打ち込んだイオンは、どこで止まるのか。射影飛程と散らばり、チャネリングと傾け注入、結晶の損傷と非晶質化を、図つきで初心者向けに解説します。

イオン注入のあとのアニールは、損傷を直し、不純物を働かせる熱処理です。活性化、拡散の副作用、炉とRTAの違いを、計算例つきで初心者向けに解説します。

熱酸化、押し込み、膜の緻密化などの熱の使い方と、シート抵抗（4探針法）による検査、よくある不良の原因を、図つきで初心者向けに解説します。

半導体のドーピングとは、リンやホウ素を少し混ぜて、n型とp型をつくる工程です。なぜ不純物を入れるのか、熱拡散とイオン注入の違いを、図つきで初心者向けに解説します。