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半導体製造工程

半導体製造工程

半導体のGAAナノシート、狭いすき間の奥まで膜をつけるには?ALD(原子層堆積)の仕組み

GAAナノシートの狭いすき間の奥まで、ゲートの膜をつけるには。ピンチオフ、コンフォーマルな膜、ガスを順番に流して1層ずつつける原子層堆積(ALD)の仕組みを、初心者向けに解説します。
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半導体のGAAナノシート、板のあいだの小さな壁とは?内側スペーサーの役目と作り方

GAAナノシートの板のあいだの小さな壁、内側スペーサーとは。ゲートとソース・ドレインの寄生容量を減らす役目、SiGeを凹ませて絶縁体を詰める作り方、凹みの難しさを、初心者向けに解説します。
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半導体のGAAナノシート、SiGeだけを取り除くには?選択エッチングの仕組み

GAAナノシートの製造で、SiGeだけを取り除くには。狙った材料だけを削る選択エッチング、選択比、プラズマを使うドライエッチング、高い選択比が必要な理由を、初心者向けに解説します。
半導体製造工程

半導体のGAAナノシートの作り方は?板を宙に浮かせる積層の工夫

GAAトランジスタのナノシートは、どう作るのか。ゲートで囲むために板を宙に浮かせる、SiとSiGeの交互積層、エピタキシャル成長、SiGeを取り除く理由を、初心者向けに解説します。
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半導体のGAA・ナノシートとは?2nm世代で変わったトランジスタの形

半導体のGAAとナノシートとは何か。「2ナノメートル」が部品の大きさではない理由、FinFETの次に登場したゲートが全周を囲む形、IBM・Samsung・TSMCの取り組みまでを、一次資料をもとに初心者向けに解説します。
半導体製造工程

半導体のFinFETとは?平らから立体になったトランジスタ

半導体のFinFETとは何か。平らなトランジスタが小さくなると通り道の下から電気が漏れる理由、ひれ状の通り道をゲートで三方向から囲む仕組み、Intelの22nm世代での効果と課題までを、一次資料をもとに初心者向けに解説します。
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半導体のhigh-kとメタルゲートとは?漏れを止めた新しい材料

半導体のhigh-kとメタルゲートとは何か。ゲート絶縁膜が薄くなると電気が漏れる理由、誘電率の高い材料に変えて漏れを止めた仕組み、電極が金属になった理由と、Intelの45nmでの採用までを、一次資料をもとに初心者向けに解説します。
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半導体のリーク電流とは?切っても漏れる電気の正体

半導体のリーク電流とは何か。スイッチを切っても漏れる電気の正体と、しきい電圧を下げると漏れが増える理由、小さくするほど速さと待機中の電気が引き換えになる仕組みを、水門のたとえで初心者向けに解説します。
ウェハ・材料

半導体のペリクルとは?フォトマスクを守る薄い膜の役割

半導体のペリクルとは何か。フォトマスクとは何か、ホコリが欠陥としてウェハに写る理由、ペリクルの役割、EUV用のマスクとペリクル、次世代のカーボンナノチューブの膜までを、一次資料をもとに初心者向けに解説します。
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半導体ウェハ乾燥(マランゴニ乾燥・IPA乾燥)とウォーターマーク対策|超純水のすすぎと乾燥

半導体洗浄のすすぎと乾燥を解説。超純水でのすすぎ、水に残る不純物の行方、ウォーターマークができる理由とマランゴニ乾燥の考え方を、計算例つきで洗浄コース3級の講義として学べます。ことばのおさらいとよくある誤解も確認できます。