InfineonとSolarEdge、800V直流の半導体遮断器で協業拡大

何が起きた？800V直流配電の保護へ協業を拡大

InfineonとSolarEdgeは2026年9月9日、AI・大規模データセンターの800V直流配電に向け、半導体遮断器（SSCB）の技術開発へ協業を広げると発表しました。SolarEdgeが遮断器の設計を主導し、Infineonが中核となるSiC JFET技術を提供する方針です。9月9日は協業拡大の発表日であり、量産や出荷を始めた日ではありません。Infineonの発表

対象は、電圧を変換するSSTという装置から、計算用サーバーを収めたラックまでの配電部分です。そこで異常な電流が流れた際に、電気の経路を素早く切り離すことを目指します。今回の発表は開発協業の拡大で、完成品の販売開始や顧客設備への導入完了を示すものではありません。SolarEdgeの発表

なぜ重要？直流は電流を止める工夫が必要

遮断器は、異常時に電気を止める保護装置です。半導体遮断器は、機械的な接点を開く代わりに、半導体スイッチを制御して電流を止めます。今回の協業を理解するうえでは、電気を効率よく届ける技術に加え、事故が起きたときに切り離す技術も配電設備に必要だという点が重要です。両社は、その保護機能を800V直流の経路に設けようとしています。直流配電の保護に関する共同発表

交流は電流の向きが周期的に変わり、その途中で電流がゼロになります。直流には、このような自然な「電流ゼロ点」がありません。両社の説明では、直流を機械的に遮断する際には、接点の間で放電が続くアークへの対応が課題になります。接点を離しても電気が流れ続けることがあるため、単に接点を開くだけでは解決しない難しさがあるのです。SolarEdgeによる直流遮断の説明

今回のSSCBは、事故電流を数マイクロ秒で遮断する設計と説明されています。1マイクロ秒は100万分の1秒です。ただし、これは企業による設計説明であり、共同開発した装置の測定条件を添えた実測値ではありません。「数マイクロ秒で必ず保護できる完成品ができた」と読むことはできません。遮断速度についての企業説明

SiC JFETとは？普段の損失と事故への強さを両立する部品

SiCは炭化ケイ素という半導体材料、JFETは接合型電界効果トランジスタという素子の種類です。今回のSiC JFETは、電流を流す・止める働きを担う半導体スイッチの中核に位置付けられます。装置全体を指すSSCBと、その内部で使う半導体素子であるSiC JFETは、区別して理解すると役割が見えやすくなります。今回の役割分担、SiC JFETの技術資料

保護用スイッチは、事故の瞬間だけ働くわけではありません。正常時にも長時間、電流を通します。このとき、素子の電気抵抗によって失われるエネルギーが導通損失です。「オン抵抗」はスイッチを入れた状態での抵抗を指し、同じ電流なら抵抗が小さいほど、この損失を抑えられます。Infineonの技術資料は、通常時の損失と事故時の頑健性を、保護用素子の重要な評価点として挙げています。保護回路向けSiC JFETの説明

同社は、電流を制限するような線形動作や、高い電圧がかかった際のアバランシェへの耐性も説明しています。つまり、選定では電気を流しやすいことに加え、異常時の電気的な負担に耐えることも問われます。ただし、この一般的な部品説明から、今回の共同開発装置の損失、温度上昇、遮断できる電流の大きさまでは確定できません。SiC JFETの保護用途に関する技術資料

背景：2025年の電力変換協業から保護機能へ

両社は2025年11月5日、SSTの共同設計・最適化・検証に関する協業を発表していました。SSTはソリッドステートトランスの略で、半導体を使って電圧を変換する装置です。当時の計画では、中電圧から800～1500V直流への変換と、99％を超える効率を開発上の目標としていました。これらは当時の開発目標であり、今回の遮断器の実証済み性能ではありません。2025年11月5日のSST協業発表

SSTは電圧を変換し、SSCBは異常時に電流を止めます。今回の発表は、先行する電力変換の協業を、その先の配電保護へ広げたものと捉えられます。AIデータセンターを支える電力経路を、変換と保護の両面から扱うようになった点に意味があります。変換効率と遮断性能は別の評価項目なので、SSTの「99％超」をSSCBの効率として用いることはできません。先行する変換技術の計画、今回の保護技術の対象範囲

限界と次の注目点：装置全体の試験条件を確認する

高速な半導体を採用しても、それだけで保護装置は完成しません。Infineonの一般的なSSCB解説では、電力スイッチに加え、電流センサー、制御用マイコン、スイッチを動かすゲートドライバーなどを構成要素として示しています。異常を測り、判断し、スイッチを操作する一連の仕組みが必要です。この資料は一般技術の説明であり、今回の装置の確定仕様ではありません。SSCBの構成に関する技術解説

今後の発表で注目したいのは、まず「数マイクロ秒」をどの条件で測るかです。現時点の共同発表では、電流値、温度、計測開始点、遮断完了の定義などが明示されていません。異常を検出する時間まで含むのか、どれほど大きな事故電流を止められるのかが分かれば、装置としての保護性能を具体的に評価しやすくなります。公表されている設計説明

また、具体的な採用型番、定格電流、完成品の認証、価格、量産・出荷時期、顧客導入実績も、今回の発表では確認できません。両社のニュースリリースは同じ共同発表に基づくため、二社が掲載したことを第三者による性能検証とみなすこともできません。現段階では、800V直流配電を保護する開発方針が示されたニュースとして受け止め、次の試験結果や製品化情報を追うのが適切です。Infineonの発表、SolarEdgeの発表

出典

• Infineon：800V直流AIデータセンター向け保護技術への協業拡大（2026年9月9日）
• SolarEdge：Infineonとの半導体保護技術協業拡大（2026年9月9日）
• Infineon：半導体遮断器（SSCB）の技術解説
• Infineon：SiC JFETの技術資料
• Infineon：SolarEdgeとのAIデータセンター向け電力インフラ協業（2025年11月5日）